[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 02147101.0 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1414563A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 山岡雅直;石橋孝一郎;松井重纯;長田健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及混合装配有逻辑电路和SRAM电路的系统LSI，特别是涉及减小漏电流，减小备用状态的功耗的半导体器件。在系统LSI中的逻辑电路上设置电源开关，在备用时，切断该开关以减小漏电流。同时，在SRAM电路中，控制衬底偏压以减小漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有：具备多个MIS晶体管的逻辑电路；连接到上述逻辑电路内的MIS晶体管的动作电位供给点与电源线之间的第1开关；具备多个静态型存储单元的存储单元阵列；根据状态改变构成上述存储单元的MIS晶体管的衬底电位的控制电路。
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