[发明专利]一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管无效
| 申请号： | 02147587.3 | 申请日： | 2002-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1490887A | 公开（公告）日： | 2004-04-21 |
| 发明（设计）人： | 张子旸;王占国;徐波;金鹏;刘峰奇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层，该上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区，该自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层，该下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层，该下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一衬底，该衬底在下限制层的下面；一层介质膜，该介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一应力缓冲层的上面均有一间隔层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组织 量子 有源 辐射 发光 | ||
【主权项】：
1、一种自组织量子点为有源区的超辐射发光管，其特征在于，其中包括：一上限制层；一上渐变折射率波导层，该上渐变折射率波导层制作在上限制层的下面；一自组织量子点有源区，该自组织量子点有源区制作在上渐变折射率波导层的下面；一下渐变折射率波导层，该下渐变折射率波导层制作在量子点有源区的下面；一下限制层，该下限制层制作在下渐变折射率波导层的下面；一衬底，该衬底在下限制层的下面；一层介质膜，该介质膜淀积在上限制层上，在介质膜上腐蚀出倾斜的条形电流注入区；其中该自组织量子点有源区包括：5个周期的量子点；在该5个周期的铟砷量子点的上面均有一层应力缓冲层，在每一应力缓冲层的上面均有一间隔层。
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