[发明专利]互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 02147949.6 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1417853A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 林宽容;赵兴在;朴大奎;吕寅硕 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体器件及其制造方法。该方法在单元NMOS与周围PMOS的栅极氧化物膜上分别进行退耦等离子体氮化处理，从而在栅极氧化物膜表面上形成氮化硅。此外，具有表面沟道的单栅极CMOS可通过总体上简单的工艺更轻易地形成，而无需单独的瞬时离子注入处理，即或是使用n+多晶硅层时也这样。该CMOS的单元NMOS的临限电压约为+0.9V，周围PMOS的临界电压约为－0.5V及以上，周围NMOS的临界电压约为+0.5V或以下。此外，因单元NMOS已具+0.9V的临界电压，故不须另提供反向偏压来获得+0.9V的临界电压，且顺利地形成具低功耗的器件。本发明的制造方法对于提高器件特性、产量和可靠性非常有利。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补型金属氧化物半导体器件的方法，该方法包括步骤：在包括位于一周围电路区内的n阱与p阱，以及位于一单元区内的一p阱的一半导体衬底上，形成一栅极氧化物膜；氮化周围电路区的n阱与单元区的p阱上的所述栅极氧化物膜的表面；以及在该栅极氧化物膜上形成一栅极电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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