[发明专利]集成型肖特基势垒二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 02147950.X | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1417867A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;小野田克明;中岛好史;村井成行;冨永久昭;平田耕一;榊原干人;石原秀俊 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成型肖特基势垒二极管及其制造方法。目前，在集成型肖特基势垒二极管的分离中，需要设置沟道、埋设聚酰亚胺层、较大地设置用于形成沟道的距离的余量，存在不能进行芯片小型化、制造工序也很复杂的问题。本发明利用离子注入形成的绝缘化区域，将各肖特基势垒二极管分离。消除了沟道和聚酰亚胺等GaAs表面的大的凸凹，所以，不需要考虑掩膜对位偏差的距离的余量，故芯片可大幅缩小。还具有可简化制造工序的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成型肖特基势垒二极管，在化合物半导体基板的一个芯片上，包含多个肖特基势垒二极管，其特征在于：由离子注入形成的绝缘化区域分离所述各肖特基势垒二极管。
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