[发明专利]能高精度地控制抛光时间的抛光方法和抛光装置无效
| 申请号： | 02148008.7 | 申请日： | 2002-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1412823A | 公开（公告）日： | 2003-04-23 |
| 发明（设计）人： | 柿田真一郎 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种对在绝缘膜(1)上形成铝布线(2)、氧化硅膜(3)的试作晶片进行化学机械抛光的抛光方法和抛光装置。当氧化硅膜(3)的凹凸消失时，中止抛光。根据其结果，由下式(I)确定抛光时间T＝(D1－D2)/v+t1(I)，其中D1是中止抛光时的膜厚，D2是目标膜厚，t1是从初始膜厚到膜厚D1所需的时间，v是在平整的基底上成膜的氧化硅膜(3)的构成材料的抛光速度。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 控制 抛光 时间 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种抛光方法，将设置在具有凹凸的晶片表面上的膜化学机械抛光至目标膜厚，其特征在于，利用对与抛光对象晶片种类相同的试作晶片进行抛光过程中所得到的抛光数据，求出抛光前半程所需的预测时间，然后利用在平整的基底上成膜的上述膜的构成材料的抛光速度，求出抛光后半程所需的预测时间，将上述所需的预测时间相加所得到的值作为抛光时间，对抛光对象晶片进行化学机械抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
