[发明专利]AlGaInP发光二极管组件有效
| 申请号： | 02148018.4 | 申请日： | 2002-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1492520A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 陈乃权;周以伦;易乃冠 | 申请（专利权）人： | 洲磊科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省桃园县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可提高发光强度的AlGaInP发光二极管组件，包括一半导体基底、一再发光层、具一第一掺质浓度的一AlGaInP层、具小于第一掺质浓度的一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层、一未掺杂AlGaInP主动层、一AlGaInP上局限层、一窗户层、一环形顶部电极于窗户层上及一层状底部电极于半导体基底下方，此再发光层包含至少一由此再发光层形成的第一区域及由Al2O3形成的一第二区域，此第二区域包围第一区域，由于介于AlGaInP下局限层与再发光层之间的AlGaInP层的第一掺质浓度大于AlGaInP下局限层的第二掺质浓度，此AlGaInP层可提供横向导通能力，此Al2O3第二区域同时可将照射于其上的光线完全反射回去，因此，本发明的AlGaInP发光二极管组件可提高发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | algainp 发光二极管 组件 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaInP发光二极管组件，其特征在于，其包括：具一第一导电性的一半导体基底；具该第一导电性的一再发光层于该半导体基底上；具该第一导电性及一第一掺质浓度的一AlGaInP层于该再发光层上；具该第一导电性及一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层于该AlGaInP层上，该第二掺质浓度小于该第一掺质浓度；一未掺杂AlGaInP主动层于该AlGaInP下局限层上；具电性相反于该第一导电性的一第二导电性的一AlGaInP上局限层于该未掺杂AlGaInP主动层上；具该第二导电性的一窗户层于该AlGaInP上局限层上；具该第二导电性的一环形顶部电极于该窗户层上；及具该第一导电性的一层状底部电极于该半导体基底下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洲磊科技股份有限公司，未经洲磊科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02148018.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
