[发明专利]用于薄膜电容器的薄膜及薄膜电容器无效
申请号: | 02148050.8 | 申请日: | 2002-10-23 |
公开(公告)号: | CN1414581A | 公开(公告)日: | 2003-04-30 |
发明(设计)人: | M·卡伦;C·奥勒;J·赖纳 | 申请(专利权)人: | ABB研究有限公司 |
主分类号: | H01G4/008 | 分类号: | H01G4/008;H01G4/012 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郑立柱,张志醒 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 薄膜电容器有一个作为绝缘体的薄底膜(1)。底膜的表面配有由金属或非金属导体制成的、用作电极的导体层(2)。如果在工作期间将电容器充电,在导体层(2)的边缘处会产生大场强的电场,能够导致击穿。从本质上辨别本发明的事实是边缘带涂层(3)位于形成电极的导体层(2)的边缘处,边缘带涂层在时间周期中,例如交流周期,只是部分充电,这对于外加电压的变化是关键性的。因此,薄膜的边缘带涂层的表面导电率必须小于导体层的表面导电率。边缘带涂层只部分充电使电位曲线图几乎没有任何中断,从而能够避免大的场强增加。 | ||
搜索关键词: | 用于 薄膜 电容器 | ||
【主权项】:
1.一种用于薄膜电容器或其他电气工程元件的薄膜,有一个绝缘底膜(1、1′)和加在其上的至少一个导体层(2、2′),导体层(2、2′)没有完全覆盖底膜(1、1′),其特征在于边缘带(B)至少在区域中与导体层(1、1′)邻接,在其边缘带中,底膜(1、1′)配有由导电材料制成的边缘带涂层(3),边缘带(B)的表面电阻大于导体层(1、1′)的表面电阻。
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