[发明专利]半导体衬底、半导体元件及其制造方法无效
| 申请号： | 02148065.6 | 申请日： | 2002-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1414605A | 公开（公告）日： | 2003-04-30 |
| 发明（设计）人： | 高桥邦方;内田正雄;北畠真;横川俊哉;楠本修;山下贤哉;宫永良子 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种具有平坦界面和上表面的半导体薄膜的生长方法和具有优异特性的半导体元件。该方法是在纵向薄膜生长装置内设置对上表面进行了平坦化处理的SiC主体衬底(11)，在惰性气体环境中加热。接着，在衬底温度1200℃～1600℃之间，供给流量1mL/min的原料气体。接着，在1600℃的温度下，把稀释气体变为氢气，供给Si和碳的原料气体，和间歇地供给氮，据此在SiC主体衬底(11)之上层叠SiC薄膜。这样，能形成上表面以及内部的界面的台阶高度的平均值被平坦化为30nm以下的δ掺杂层的层叠结构，所以使用它，能实现耐压高、移动度大的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，其中，具有SiC主体衬底、以及设置在所述SiC主体衬底的上方的包含杂质的SiC堆积层；当所述SiC堆积层的厚度为t，所述SiC堆积层的上表面的台阶高度为h时，所述台阶高度和所述SiC堆积层厚度之比h/t在10-6以上10-1以下的范围内，并且所述台阶高度为10nm以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02148065.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
