[发明专利]P沟道场效应晶体管剂量仪无效
| 申请号： | 02148078.8 | 申请日： | 2002-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1492238A | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 朱光武;王世金;梁金宝;任迪远;范隆;郭旗;李宏;孙越强;张微;王月;金松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院空间科学与应用研究中心 |
| 主分类号： | G01T1/16 | 分类号： | G01T1/16;G01T1/24;G01T1/17 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种P沟道场效应晶体管剂量仪，包括一零温度系数恒流源，其输出端与P沟道场效应晶体管的漏极和栅极输入端连接，该零温度系数恒流源提供P沟道场效应晶体管零温度系数工作电流；一栅极电压漂移值运算电路，其输入端与运放B的输出端连接，该栅极电压漂移值运算电路的输出端连接一放大及输出电路，运放B跟随至运放C和运放C的基准电源组成栅极电压漂移值运算电路，运放C的基准源为集成电路可调三端稳压器，在集成电路可调三端稳压器的2脚连接一可调电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 场效应 晶体管 剂量 | ||
【主权项】：
1、一种P沟道场效应晶体管剂量仪，包括P沟道场效应晶体管及其恒流源电路、P沟道场效应晶体管栅极电压漂移值运算电路和放大及输出电路，其特征在于，恒流源电路为P沟道场效应晶体管提供零温度系数的恒流工作电源，P沟道场效应晶体管栅极漂移电压经运放B跟随接入运放C，运放C的同相端为基准源，从而由运放C实现栅极电压漂移值运算，运放D将运放C的漂移值进一步放大输出；其中还包括：一零温度系数恒流源，其输出端与P沟道场效应晶体管的漏极和栅极输入端连接，该零温度系数恒流源提供P沟道场效应晶体管零温度系数工作电流；一栅极电压漂移值运算电路，其输入端与运放B的输出端连接，该栅极电压漂移值运算电路的输出端连接一放大及输出电路，运放B跟随至运放C和运放C的基准电源组成栅极电压漂移值运算电路，运放C的基准源为集成电路可调三端稳压器，在集成电路可调三端稳压器的2脚连接一可调电阻。
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