[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 02148136.9 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1417859A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | 石川明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈景峻,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在具有其中由不同材料制成的层或包括各个形成图形的层构成多个层的结构的半导体器件中，目的是为了提供一种方法，其中在不进行CMP法的抛光处理或淀积SOG膜的整平工艺的情况下，可实现平滑表面，不选择基片材料，并且整平技术很简单和容易。在其中形成多个不同层的半导体器件中，在不对形成在绝缘膜和布线(电极)或半导体层上的绝缘膜进行CMP法的抛光处理或淀积SOG膜的整平工艺的情况下，按照以下方式可实现平滑表面，其中孔部分形成在绝缘膜中，布线(电极)或半导体层形成在孔部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：具有孔部分的第一绝缘膜，形成在孔部分中的半导体层，和涂敷第一层间绝缘膜和半导体层的第二绝缘膜。
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