[发明专利]用于氧化锆和氧化铪薄膜沉积的前驱体无效
| 申请号： | 02148145.8 | 申请日： | 2002-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1415782A | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 庄维佛;D·R·埃文斯 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | C23C16/40 | 分类号： | C23C16/40;C23C16/448 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥凌,黄力行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方法，其包括将ZCl4同H(tmhd)3溶剂和类如苯的烃溶剂混合，形成一种溶液(其中Z为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素)；将该溶液在氩气中回流12小时；藉助真空除去溶剂，从而产生一种固体化合物；将该化合物在0.1mmHg的近真空状态和200℃下升华；还提出一种用于化学气相沉积方法的ZOx前驱体，其包括从包含ZCI(tmhd)3和ZCl2(tmhd)2在内的化合物组中选取的一种含Z化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氧化锆 氧化 薄膜 沉积 前驱 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方法，其包括：将ZCl4同H(tmhd)3溶剂和烃溶剂混合形成一种溶液(其中，Z为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素)；在氩气中将该溶液回流12小时；藉助真空除去溶剂，从而产生一种固体化合物；以及在0.1mmHg的近真空状态和200℃下使该化合物升华；
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
