[发明专利]混合阻性交叉点存储单元阵列及其制造方法无效
| 申请号： | 02148154.7 | 申请日： | 2002-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN1417802A | 公开（公告）日： | 2003-05-14 |
| 发明（设计）人： | F·A·佩尔纳;L·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C7/02 | 分类号： | G11C7/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 这里描述了一种包括一个新颖的阻性交叉点存储单元阵列(12)的数据存储设备(10)以及制造数据存储设备(10)的方法。阻性交叉点存储单元阵列(12)利用具有实用的尺寸和电流密度特性的隔离二极管(28)，允许高密度制造和高速操作。另外，数据存储设备(10)包括一个新颖的等电势隔离电路(32)，该电路充分地避免了否则会干扰存储单元(18)的电阻状态的感测的寄生电流。在一个方面，将阻性交叉点存储单元阵列(12)的存储单元(18)排列成多个包含两个或多个存储单元(18)的组(26)。将每组(26)的存储单元(18)连接在一条相应的字线(14)和一个与一条位线(16)相连的公共隔离二极管(28)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 性交 存储 单元 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种数据存储设备，包括：存储单元的一个阻性交叉点阵列；多条字线；以及多条位线；其中，将存储单元排列成多个包含两个或多个存储单元的组，将每组的存储单元连接在一条相应的字线和一个与一条位线相连的公共隔离二极管之间。
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