[发明专利]具有RESURF层的功率用半导体器件有效
| 申请号： | 02148229.2 | 申请日： | 2002-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN1405897A | 公开（公告）日： | 2003-03-26 |
| 发明（设计）人： | 斋藤涉;大村一郎;山口正一;相田聪;小野升太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，第一漂移层(11)形成在漏极层(10)上，二者同为第一导电类型。第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)形成在第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置。RESURF层(18)通过包含第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在第二漂移层(19，33)内形成耗尽层。第一漂移层(11)的杂质浓度与第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同。基极层(12)选择地形成在第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内。源极层(13)是第一导电类型，选择地形成在基极层(12)的表面内。形成源极来连接基极层(12)和源极层(13)的表面。栅极(15)经栅极绝缘膜(14)形成在位于源极层(13)和第二漂移层(19)之间的基极层(12)上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 resurf 功率 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的漏极层(10)；形成在上述漏极层(10)上的第一导电类型的第一漂移层(11)；形成在上述第一漂移层(11)上，在与深度方向正交的方向上周期配置的第一导电类型的第二漂移层(19，33)和第二导电类型的RESURF层(18)，该RESURF层(18)通过包含上述第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的pn结在上述第二漂移层(19，33)内形成耗尽层，该第一漂移层(11)的杂质浓度与上述第二漂移层(19，33)的杂质浓度不同；电连接上述漏极层(10)的漏极(16)；选择地形成在上述第二漂移层(19，33)和RESURF层(18)的表面内的第二导电类型的基极层(12)；选择地形成在上述基极层(12)的表面内的第一导电类型的源极层(13)；形成来连接上述基极层(12)和源极层(13)的表面的源极(17)；和经栅极绝缘膜(14)形成在位于上述源极层(13)和第二漂移层(19)之间的上述基极层(12)上的栅极(15)。
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