[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 02148256.X 申请日: 2002-10-30
公开(公告)号: CN1417841A 公开(公告)日: 2003-05-14
发明(设计)人: 丸山纯矢;高山彻;后藤裕吾 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯,梁永
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件,它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件),以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中,并非在塑料膜上形成元件。相反,诸如衬底的平板被用作模板,利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙,并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底,从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式,本发明使膜变薄并且重量减轻。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,其中,将粘合构件用作支撑体并且在与所述粘合构件接触的绝缘膜上形成元件。
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