[发明专利]含非易失存储单元的高稳定性半导体存储装置无效
申请号: | 02148257.8 | 申请日: | 2002-10-28 |
公开(公告)号: | CN1441438A | 公开(公告)日: | 2003-09-10 |
发明(设计)人: | 月川靖彦 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G11C11/412 | 分类号: | G11C11/412;H01L27/11 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯,王忠忠 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体存储装置,其中设有:依照存储的数据,将第一与第二存储节点(N1、N2)分设于第一与第二电位电平中的一个和另一个上的触发器电路;以及在数据读出时,按照一个存储节点的电位电平跟位线电气连接的内部节点(N3),以及跟第一电位电气连接的开关电路(NT5)。 | ||
搜索关键词: | 含非易失 存储 单元 稳定性 半导体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,其中设有:行列状设置的多个存储单元;分别对应存储单元行设置的、依照行选择结果有选择地被激活的多条字线;分别对应存储单元列设置的、各自进行数据传送的多条位线;以及分别对应所述存储单元列设置的、数据写入时按照列选择结果有选择地被激活的多条写入选择线;各所述存储单元包含:用以按照存储的数据将第一与第二存储节点分设于第一与第二电压之一及另一上的触发器电路;数据读出时与所述数据写入时,依照对应字线的激活将对应位线和内部节点电气连接的第一开关电路;所述数据写入时,依照对应写入选择线的激活将所述第一与第二存储节点中规定的一个存储节点和所述内部节点电气连接的第二开关电路;以及所述数据读出时,依照所述一个存储节点的电压电平将所述内部节点和所述第一电压电气连接的第三开关电路。
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