[发明专利]利用非布植方式形成半导体组件的方法

摘要

本发明公开一种利用非布植方式形成半导体组件的方法，其是在一基底表面形成栅极堆栈结构后，利用沉积与蚀刻技术在栅极堆栈结构两侧形成侧壁结构，接着在半导体上沉积一硅玻璃层，再利用高温热制程，将硅玻璃层中的离子驱入半导体基底中，以在基底内形成浅、深离子掺杂区域，此即作为浅掺杂漏极(LDD)与源极/漏极结构。本发明是可有效减少制作晶体管的步骤，并可提高接面品质；且由于其所形成的接面较浅，故可符合组件微小化与高积集度的要求。

主权项

1、一种利用非布植方式形成半导体组件的方法，其特征是包括下列步骤：提供一半导体基底，其上已形成栅极堆栈结构；在该半导体基底表面且位于该栅极堆栈结构二侧各形成有一侧壁；形成一硅玻璃层于该半导体基底与该栅极堆栈结构表面；及进行一高温热制程，将该硅玻璃层中的离子驱入该半导体基底中，使其在该半导体基底内同时形成浅离子掺杂区域及深离子掺杂区域。