[发明专利]主动式有机发光二极管的制造方法

摘要

一种主动式有机发光二极管的制造方法，此方法首先在一基板上形成一栅极以及与栅极连接的一扫描配线。接着，在基板上形成一栅介电层。之后，在栅极上方的栅介电层上形成一微晶硅通道层。继之，在栅介电层上形成一阳极层，在微晶硅通道层上形成一源极/漏极，并且同时形成与源极连接的一数据配线，而构成一薄膜晶体管。接着，在基板的上方形成一保护层，覆盖薄膜晶体管上并暴露出阳极层，之后进行一紫外线－臭氧活化工艺，以活化阳极层。接续，于基板的上方依序形成一发光层与一阴极层。

主权项

1.一种主动式有机发光二极管的制造方法，其特征是，该方法包括：在一基板上形成一栅极以及与该栅极连接的一扫描配线；在该基板上形成一栅介电层，覆盖该栅极与该扫描配线；在该栅极上方的该栅介电层上形成一微晶硅通道层；在部分该栅介电层上形成一阳极层；在该微晶硅通道层上形成一源极/漏极，并且同时形成与该源极连接的一数据配线，其中该漏极是与该阳极层电性连接，且该栅极、该通道层以及该源极/漏极构成一薄膜晶体管；在该基板的上方形成一保护层，覆盖该薄膜晶体管并暴露出该阳极层；进行一紫外线-臭氧活化工艺，以活化该阳极层；在该基板的上方形成一发光层，覆盖该保护层以及该阳极层；以及在该发光层上形成一阴极层。