[发明专利]罩幕式只读存储器的结构及其制造方法

摘要

一种罩幕式只读存储器的结构及其制造方法，此结构包括一基底；复数个栅极，配置在部分基底之上方；一栅介电层，配置在基底与栅极之间；复数条埋入式位线，配置在栅极两侧的基底中；一绝缘层，配置在埋入式位线的上方以与栅极之间；复数条字线，每一字线以垂直于埋入式位线的方向配置在相同一列的栅极上与绝缘层上；以及一编码层，配置在字线以与栅极之间。

主权项

1、一种罩幕式只读存储器的结构，其特征在于：包括：一基底；复数个栅极，配置在部分该基底的上方；一栅介电层，配置在该基底与该些栅极之间；复数条埋入式位线，配置在该些栅极两侧的该基底中；一绝缘层，配置在该些埋入式位线上方以及该些栅极之间；复数条字线，每一该些字线以垂直于该些埋入式位线的方向配置在相同一列的该些栅极上与该绝缘层上；一编码层，配置在该些字线以及该些栅极之间，而构成复数个编码存储单元，其中在该些编码存储单元中，该编码层中有一编码离子植入者具有一逻辑状态“1”，而在其它该些编码存储单元中，该编码层中未有该编码离子植入者具有一逻辑状态“0”。