[发明专利]掩埋式光波导及其制备方法无效
申请号: | 02149207.7 | 申请日: | 2002-11-06 |
公开(公告)号: | CN1417599A | 公开(公告)日: | 2003-05-14 |
发明(设计)人: | 田贺斌;杨天新;王永强;王颖;李世忱 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G02B6/10 | 分类号: | G02B6/10;H04B10/12 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 陆艺 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩埋式光波导及其制备方法,一种掩埋式光波导,包括基质,折射率大于基质折射率的区域,所述折射率大于基质折射率的区域设置在基质的内部,所述折射率大于基质折射率的区域呈圆柱体或椭圆柱体,所述圆柱体或椭圆柱体的高与基质的长轴平行,它的制备方法是,将两块设置有半圆柱体或半椭圆柱体形状的折射率大于基质折射率的区域的表面式光波导对扣粘合在一起,即得到掩埋式光波导,另一种掩埋式光波导,它所具有的折射率大于基质折射率的区域呈长方体,制备方法与上种方法相同,本发明的掩埋式光波导,波导稳定性好,性能优良,具有更低的传输损耗和偏振相关性,可以支持限定的模式,能够更好地与光纤兼容。 | ||
搜索关键词: | 掩埋 波导 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩埋式光波导,包括基质,折射率大于基质折射率的区域,其特征在于所述折射率大于基质折射率的区域设置在基质的内部,所述折射率大于基质折射率的区域呈圆柱体或椭圆柱体,所述圆柱体或椭圆柱体的高与基质的长轴平行。
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