[发明专利]以碳化硅为基板的发光元件无效
| 申请号： | 02149286.7 | 申请日： | 2002-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1501518A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 赖穆人;章烱煜 | 申请（专利权）人： | 威凯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种以碳化硅为基板的发光元件，其主要是以3C－SiC做为一基板，并且利用磷化硼作为此基板与磊晶层之间的缓冲层，其主要包括有：一碳化硅基板；一磷化硼缓冲层覆盖于碳化硅基板的上表面；第一型氮化镓束缚层覆盖于磷化硼缓冲层表面；活性层覆盖于第一型氮化镓束缚层表面及第二型氮化镓束缚层覆盖于活性层表面。具有减少制程复杂度、减少晶格不匹配及避免产生缺陷的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 发光 元件 | ||
【主权项】：
1、一种以碳化硅为基板的发光元件，其特征是：它包括具有立方晶体结构的碳化硅基板；磷化硼缓冲层设于所述碳化硅基板上，且具有立方晶体结构；第一型氮化镓束缚层设于所述磷化硼缓冲层表面，且具有立方晶体结构；活性层设于所述第一型氮化镓束缚层表面，且具有立方晶体结构；第二型氮化镓束缚层设于所述活性层表面，且具有立方晶体结构；第一型电极设置于所述碳化硅基底之下；第二型电极设置于所述第二型束缚层上；该碳化硅为3C-SiC结构。
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