[发明专利]一种具有高应变形状记忆效应的磁性带材及制备方法无效
| 申请号： | 02149352.9 | 申请日： | 2002-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1501410A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 张铭;崔玉亭;柳祝红;王文洪;陈京兰;吴光恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F1/04 | 分类号： | H01F1/04;H01F41/02;C22C1/02;C22C38/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种具有高应变形状记忆效应的磁性材料及其制备方法。该磁性材料具有Ni50+xFe25+yGa25+z化学式，其中：－24.99 |
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| 搜索关键词： | 一种 具有 应变 形状 记忆 效应 磁性 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高应变形状记忆效应的磁性带材，其特征在于：具有如下化学式Ni50+xFe25+yGa25+z，和结构为L21的薄带材料；其式中：-24.99＜x＜24.99；-24.99＜y＜24.99；-24.99＜z＜24.99；
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