[发明专利]基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种具有多隧穿结结构的单电子多值存储器及制备方法。该存储器有一个绝缘的基片，其上存在一导电材料层。导电材料层中有两个多遂穿结结构、一个单电子晶体管和一个单元存储结。两个隧穿结的一端通过引线连接在一起作为写电压的输入端，每个隧穿结的另一端则连接一个存储结；单元存储结处在两个存储结的中间电容耦合在一起；单电子晶体管具有源极、漏极、与源漏极弱耦合的量子点和用来控制量子点静电化学势能的栅极，其中的量子点通过电容耦合的方式与单元存储结连接在一起。器件具有三个稳定的存储状态，并且只需要控制极少电子的运动就可以实现器件的正常工作，可以实现低功耗下的信息超高密度存储。

主权项

1.一种基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器，包括：一个绝缘的基片，在其上设置一导电材料层；并在导电材料层中刻蚀制备出两个多遂穿结结构、一个单电子晶体管和一个单元存储结；其特征在于：所述的两个多隧穿结的一端通过多隧穿结引线连接在一起作为写电压的输入端，每个隧穿结的另一端则连接一个存储结；两个存储结之间单元存储结设置一单元存储，并以电容耦合的方式连接在一起；所述的单电子晶体管设置在存储结的末端旁，单电子晶体管的量子点通过电容耦合的方式与单元存储结连接在一起。