[发明专利]半导体存储器件有效
申请号: | 02149591.2 | 申请日: | 2002-11-15 |
公开(公告)号: | CN1421870A | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 泽村贵宽;松宫正人 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C11/401 | 分类号: | G11C11/401;H01L27/10 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种具有多个存储单元对并包括一个用于存储普通数据和辅助数据的存储单元对的半导体存储器件,在该半导体存储器件中可检查一个存储单元对中的一个存储单元的操作。在正常操作时期,可通过同时激励两条字线,从想要的存储单元读出数据和写入数据。另一方面,在操作测试时期,可通过激励一条想要的字线,仅从存储单元对中的一个存储单元读出数据和写入数据。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有多个存储单元对并包括一个用于存储普通数据和辅助数据的存储单元对的半导体存储器件,包括:用于选定一个预定的存储单元对的字线;用于从被字线选定的存储单元对中读出数据并向该存储单元对中写入数据的位线;用于接收输入的设置信号以设置一个操作模式的一个操作模式输入电路;以及当操作模式输入电路输入一个设置信号以设置在一个存储单元上执行操作测试的模式时,对从该存储单元对中的一个存储单元读出数据和写入数据进行限制的一个限制电路。
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