[发明专利]一种碳纳米管阵列结构及其生长方法有效
| 申请号： | 02149726.5 | 申请日： | 2002-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1509982A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 刘亮;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种碳纳米管阵列结构，其包括一基底、形成于基底上的催化剂合金颗粒、以及从催化剂合金颗粒上长出的碳纳米管阵列，该催化剂合金颗粒含有影响碳纳米管生长速度的材料，所生长的碳纳米管阵列具有向一特定方向弯曲的特性。本发明提供的碳纳米管阵列向一预定的方向弯曲，丰富碳纳米管器件设计的多样性，为碳纳米管器件的设计提供更多的选择空间。本发明同时还揭示了一种生长上述碳纳米管阵列结构的方法。其步骤包括：(1)在基底的表面形成一催化剂层，该催化剂层的厚度均匀一致；(2)在催化剂层上沉积至少两种影响碳纳米管长生速度的调节材料；(3)在含氧气氛中退火，使催化剂层氧化成为催化剂颗粒；(4)通入碳源气，生长碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管阵列结构，包括一基底、形成于基底上的催化剂合金颗粒及从催化剂合金颗粒上长出的碳纳米管阵列，其特征在于该催化剂合金颗粒中包括至少两种影响碳纳米管长生速度的调节材料，该调节材料沿一特定方向分布，该碳纳米管阵列向该特定方向弯曲。
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