[发明专利]通过外加磁场实行数据写入的薄膜磁性体记忆装置无效
| 申请号： | 02150228.5 | 申请日： | 2002-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN1442858A | 公开（公告）日： | 2003-09-17 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 各写入字线(WWL)的一端，通过写入驱动电路(WWD)有选择地与电源电压(Vcc)连接，它端与接地电压(Vss)连接。写入驱动电路(WWD)，在各写入字线的一端或它端，按每1行交互配置。写入驱动电路(WWDj)具有在选择对应的存储单元行(第j行)时，为了提供数据写入电流Iww而将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第1晶体管(101)；在选择相邻行时，将对应的写入字线(WWLj)与电源电压(Vcc)连接的第2晶体管(102)。通过由第2晶体管(102)流过的磁场消除电流(ΔIww)，消除来自相邻行的数据写入电流的泄漏磁场。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 外加 磁场 实行 数据 写入 薄膜 磁性 记忆 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体记忆装置，其具备：各自具有在按照记忆数据的方向被磁化的磁性体(TMR)的多个磁性体存储单元(MC)被配置为行列状的存储器阵列(2)；与存储单元行分别对应设置的多条写入选择线(WWL)；与存储单元列分别对应设置的多条数据线(BL)；用于根据列选择结果，对与所选择的磁性体存储单元对应的数据线，有选择地流动按照写入数据的方向的电流的写入控制电路(50，60)；用于根据行选择结果，来控制向上述多条写入选择线的有选择的电流供给的行选择电路(20，21)，其中上述行选择电路向与上述多条写入选择线之中的选择行对应的写入选择线提供数据写入电流(Iww)，同时向与上述多条写入选择线之中的上述选择行的相邻行对应的写入选择线，在与对应于上述选择行的写入选择线中的上述数据写入电流相反的方向提供比上述数据写入电流小的磁场消除电流(ΔIww)，在各上述写入选择线中，在相同方向提供在上述对应的存储单元行的选择时的上述数据写入电流和在上述相邻行的选择时的上述磁场消除电流。
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