[发明专利]静电放电防护组件以及其制造方法无效
| 申请号： | 02150419.9 | 申请日： | 2002-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN1501494A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 林锡聪;陈伟梵 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;潘培坤 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于静电放电防护的金氧半晶体管(MOS)结构，适用于一种双栅结构制造过程。该双栅结构制造过程用以制作具有一第一厚度的一第一栅氧化层以及具有一第二厚度的一第二栅氧化层，该第一厚度小于该第二厚度。该MOS结构包括有至少一第一岛结构以及一栅结构。该第一岛结构具有一第一导电区块以及一第一栅氧化物区块，该第一导电区块是堆栈于该第一栅氧化物区块上。该栅结构具有一栅介电层，该栅介电层较该第一栅氧化层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 防护 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一用于静电放电防护的金氧半晶体管(MOS)结构，适用于一种双栅结构制造过程，其特征在于，该双栅结构制造过程用以制作具有一第一厚度的一第一栅氧化层以及具有一第二厚度的一第二栅氧化层，该第一厚度小于该第二厚度，该MOS结构包括有：至少一第一岛结构，具有一第一导电区块以及一第一栅氧化物区块，该第一导电区块堆栈于该第一栅氧化物区块上；以及一栅结构，具有一栅介电层，该栅介电层较该第一栅氧化层厚。
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