[发明专利]高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法无效
| 申请号： | 02150629.9 | 申请日： | 2002-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN1499587A | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 赵有文 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选用非掺磷化铟材料；(2)使用纯度为光谱纯以上的铁粉和6N纯度以上的红磷，将在磷化铟材料及红磷一起放入石英管中；(3)磷化铟材料的晶片要放置在样品架上，彼此隔离开以保证退火后材料的均匀性；(4)放入炉中退火。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 退火 掺杂 磷化 制备 绝缘 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)选用非掺磷化铟材料；(2)使用纯度为光谱纯以上的铁粉和6N纯度以上的红磷，将在磷化铟材料及红磷一起放入石英管中；(3)磷化铟材料的晶片要放置在样品架上，彼此隔离开以保证退火后材料的均匀性；(4)放入炉中退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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