[发明专利]固体摄象装置以及使用该装置的摄像机微型组件无效

专利信息
申请号: 02150685.X 申请日: 2002-11-13
公开(公告)号: CN1419295A 公开(公告)日: 2003-05-21
发明(设计)人: 後藤浩成 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种以接合栅型场效应晶体管作像素用的固体摄象装置。在n型的第1半导体区域(21)的表面区域,n型的源区域(23)及漏区域(22)相互分离形成。与漏区域(22)连接的n型的第2半导体区域(24)形成于第1半导体区域(21)的表面区域。形成于第2半导体区域(24)下部的第1半导体区域(21)内,与第2半导体区域(24)电气连接,积蓄与入射光对应的信号电荷的p型第3半导体区域(26)被形成。P型的第4半导体区域(25)形成于漏区域(22)与源区域(23)间的第1半导体区域(21)的表面区域。利用这些源区域(23)、漏区域(22)、第2半导体区域(24)及第3半导体区域(26)构成像素,在这一像素的信号电荷积蓄期间、信号读出期间及信号电荷排出期间分别向漏区域(22)供给不同电压。
搜索关键词: 固体 装置 以及 使用 摄像机 微型 组件
【主权项】:
1.一种固体摄象装置,其特征在于,具备半导体基板(20)、和形成于上述半导体基板的多个像素,上述多个像素分别具有信号电荷的积蓄期间、信号读出期间及信号电荷的排出期间、上述多个像素是分别具有下列部分的多个像素(1,15):形成于上述半导体基板上的第1导电型的第1半导体区域(21)、形成于上述第1半导体区域的表面区域的第1导电型的源区域(23)、与上述源区域相互分离形成在上述第1半导体区域的表面区域、在上述像素的信号电荷的积蓄期间、信号读出期间及信号电荷的排出期间分别供给不同电压的第1导电型漏区域(22)、与上述漏区域连接、形成于上述第1半导体区域的表面区域的第1导电型的第2半导体区域(24)、形成于上述第2半导体区域下部的第1半导体区域、且与上述第2半导体区域电气连接、和积蓄与入射光对应的信号电荷的与上述第1导电型相反导电型的第2导电型的第3半导体区域(26),及形成于上述源区域与漏区域间的上述第1半导体区域的表面区域的第2导电型的第4半导体区域(25)。
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