[发明专利]谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法无效
申请号: | 02150784.8 | 申请日: | 2002-11-28 |
公开(公告)号: | CN1167136C | 公开(公告)日: | 2004-09-15 |
发明(设计)人: | 张月蘅;沈文忠;骆海涛 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟 |
地址: | 20003*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法属于光电探测器领域。方法步骤如下:选取与探测器材料相同的材料作为反射镜的材料;根据菲涅尔系数矩阵和德鲁得模型,通过数值计算得到没有谐振腔时探测器腔体内的光吸收率;用同样的方法计算谐振腔增强的探测器腔体内的光吸收率,并优化底部反射镜的结构和材料参数;根据优化得到的参数,通过分子束外延生长出谐振腔增强的探测器,并测量其反射和透射光谱,验证这种制备的可行性。本发明制备出的反射镜可以应用在远红外波段,并可以通过MBE生长,生长质量得到保证,使得探测器腔体内的光吸收率大大增强,从而提高了探测器的量子效率。 | ||
搜索关键词: | 谐振腔 增强 红外探测器 反射 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种谐振腔增强的远红外探测器反射镜的制备方法,其特征在于方法步骤如下:(1)选取与探测器材料相同的材料作为反射镜的材料;(2)根据菲涅尔系数矩阵和德鲁得模型,通过数值计算得到探测器腔体内的光吸收率;(3)用与步骤(2)同样的方法计算有反射镜时的探测器腔体内的光吸收率,并优化底部反射镜的结构和材料参数;(4)根据优化得到的参数,通过分子束外延生长出谐振腔增强的探测器,并测量其反射和透射光谱,验证这种制备的可行性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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