[发明专利]一种对同步动态随机存储器自测试的方法及其装置无效
| 申请号： | 02150825.9 | 申请日： | 2002-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1504884A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 徐春;石磊 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/00 | 分类号： | G06F11/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 章蔚强 |
| 地址： | 518057广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种对同步动态随机存储器自测试的方法及其装置，在系统正常工作之前对SDRAM进行自测试，其方法为：启动同步动态随机存储器SDRAM自测试，系统切换到自测试模式下；CPU将数据写入自测试模块的第一双端口RAM；仲裁模块从所述第一双端口RAM中读取数据并写入SDRAM；仲裁模块从SDRAM中回读数据并写入自测试模块的第二双端口RAM中；CPU从所述第二双端口RAM中读数据，并对写入和读出的数据进行比较，以判断SDRAM是否工作正常；在自测试工作完成后，系统切换到正常工作模式下，实现业务的恢复。本发明增加了系统的可靠性，并且通过对SDRAM进行自测试可以判断SDRAM是否失效，从而增加系统的可维护性。另外，逻辑实现也比较简单，不额外增加系统的复杂度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同步 动态 随机 存储器 测试 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对同步动态随机存储器自测试的方法，其特征在于，在系统正常工作之前对SDRAM进行自测试，包括下列步骤：A.启动同步动态随机存储器SDRAM自测试，系统切换到自测试模式下；B.CPU将数据写入自测试模块的第一双端口RAM；C.仲裁模块从所述第一双端口RAM中读取数据并写入SDRAM；D.仲裁模块从SDRAM中回读数据并写入自测试模块的第二双端口RAM中；E.CPU从所述第二双端口RAM中读数据，并对写入和读出的数据进行比较，以判断SDRAM是否工作正常；F.在自测试工作完成后，系统切换到正常工作模式下，实现业务的恢复。
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