[发明专利]一种生长硅单晶的方法有效
| 申请号： | 02151127.6 | 申请日： | 2002-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1422990A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;李立本;马向阳;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明的生长硅单晶的方法是将多晶硅在单晶炉中高纯氩气保护下融化、生长,在晶体生长完成后的冷却过程中转换成高纯氮气保护,氮气的压力在5～200Torr,氮气的流量在1～200l/min,直至晶体冷却到室温,出炉。本发明的优点是在硅单晶在冷却过程中,利用低成本的高纯氮气替代高纯氩气作为保护气,能有效降低大直径硅单晶的生产成本。在硅晶体冷却过程中,晶体的温度不断降低,晶体的表面和氮气基本不反应,没有氮元素的引入,不影响硅单晶的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种生长硅单晶的方法，其特征是将多晶硅在单晶炉中高纯氩气保护下融化、生长，在晶体生长完成后的冷却过程中转换成高纯氮气保护，氮气的压力在5～200Torr，氮气的流量在1～200l/min，直至晶体冷却到室温，出炉。
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