[发明专利]氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法有效
| 申请号： | 02151128.4 | 申请日： | 2002-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1422991A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨德仁;李立本;田达晰;马向阳;沈益军;阙端麟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B27/00 | 分类号： | C30B27/00 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开的氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法是先将多晶硅在高纯氩气保护下,升温融化,待多晶硅融化后,将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气,高纯氮气的压力为5～200Torr,流量在1～200l/min,在氮气通入1～600分钟后,再转换为高纯氩气保护,直至硅晶体生长完成。采用本发明方法生产微氮硅单晶成本低,质量好,可以控制大直径硅单晶中氮的浓度,能够实现大规模生产,特别适用于8～12英寸以上微氮硅单晶的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 氮气 生长 浓度 可控 微氮硅单晶 方法 | ||
【主权项】：
1.氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法，其特征是该方法先将多晶硅在高纯氩气保护下，升温融化，待多晶硅融化后，将保护气从高纯氩气转化为高纯氮气，高纯氮气的压力为5～200Torr，流量在1～200l/min，在氮气通入1～600分钟后，再转换为高纯氩气保护，直至硅晶体生长完成。
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