[发明专利]测量晶片的零倾斜角度的方法有效
| 申请号： | 02151255.8 | 申请日： | 2002-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN1507024A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | 杨金龙;何春雷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明用来解决已知技术只能在装机验机时进行晶片倾斜角度归零，而不能在例行校正维修程序中确认晶片的倾斜角度的缺点。本发明利用装机验机时在晶片倾斜角度为零时所得到的配方程序为监测配方程序，并使用监测配方程序对倾斜角度大致为零的晶片进行掺杂程序。最后，分析多次掺杂程序的晶片表面变化程度值与晶片阻抗，偏差值最大的掺杂程序所对应到的晶片即可视为零倾斜角度的晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 晶片 倾斜 角度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测量晶片的零倾斜角度的方法，包含：以已完成的一接受度测试中，晶片零倾斜角度的一配方程序为一监测配方程序；使用该监测配方程序进行多次掺杂程序，在此任一该掺杂程序皆是让被掺杂之一晶片的一倾斜角度大约为零倾斜角度，并且不同该掺杂程序对应到不同的该倾斜角度；以及测量该些掺杂程序的结果，并以测量结果明显与其它该些掺杂程序不同的一特殊该掺杂程序中一晶片的倾斜角度为一零倾斜角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
