[发明专利]薄膜的制造方法及化学气相成长用原料无效
| 申请号： | 02151326.0 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1420203A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 小野泽和久;芳仲笃也;山田直树;樱井淳 | 申请（专利权）人： | 旭电化工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈建全 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种通过化学气相成长法制造钛酸锶、钛酸钡或钛酸钡锶薄膜的方法，其特征在于，使用由通式(I)表示的钛化合物，式中，R1表示氢原子或甲基，R2、R3各自独立地表示甲基、乙基或表示连接在一起形成亚甲基、甲基亚甲基、二甲基亚甲基的基团。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制造 方法 化学 相成 原料 | ||
【主权项】：
1、一种通过化学气相成长法制造钛酸锶、钛酸钡或钛酸钡锶薄膜的方法，其特征在于，使用由下述通式(I)表示的钛化合物：式中，R1表示氢原子或甲基，R2、R3各自独立地表示甲基、乙基或表示连接在一起形成亚甲基、甲基亚甲基、二甲基亚甲基的基团。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭电化工业株式会社，未经旭电化工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02151326.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
