[发明专利]快速触发的静电保护电路及其方法无效
| 申请号： | 02151340.6 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1501561A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 林锡聪;陈伟梵;连振炘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H3/22 | 分类号： | H02H3/22 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红;潘培坤 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快速触发的静电保护电路，在一正静电电压产生时，可在分流晶体管的栅极上产生一瞬时的负电压。本发明的静电保护电路较传统使用栅极耦合N型晶体管(GCNMOS)的静电保护电路具有更佳的静电保护功效，特别适用于使用栅极氧化层厚度在40或以下的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 触发 静电 保护 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快速触发的静电保护电路，当一静电电压在一第一节点上产生时，提供至一第二节点的静电放电路径，其特征在于，包括：一第一晶体管，漏极耦接至该第一节点，源极耦接至该第二节点，当该第一节点上的该静电电压到达一触发电压值时，进入一跳通状态而提供该静电放电路径；以及一静电瞬时负电压产生器，当该静电电压在该第一节点上产生时，接收该静电电压而输出一负电压至该第一晶体管的栅极，降低该触发电压值。
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