[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法有效
| 申请号： | 02151403.8 | 申请日： | 2002-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN1420547A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 檜上竜也;伊藤文俊;蒲原史朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种适合于高介质膜形成栅绝缘膜的两种类型的栅极工艺。高介质膜，例如，相对介电常数大于氮化硅膜的氧化钛膜(内部电路的栅绝缘膜)淀积在衬底上，氮化硅膜设置在氧化钛膜上。氮化硅膜起氧化防止膜的作用，当在下一步骤中进行热氧化衬底的表面时防止氧化钛膜氧化。接着，除去I/O电路区上的氮化硅膜和氧化钛膜同时内部电路区上的氮化硅膜和氧化钛膜保留，对衬底进行热氧化，由此在衬底的I/O电路区的表面上形成氧化硅膜(I/O电路区的栅绝缘膜)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在一个半导体衬底的主表面上形成相对介电常数高于氮化硅的相对介电常数的一个第一绝缘膜，并随后在第一绝缘膜上形成氧化防止膜，(b)覆盖半导体衬底的第一区上的氧化防止膜，并腐蚀半导体衬底的第二区上的第一绝缘膜和氧化阻挡膜，从而露出第二区的半导体衬底表面，(c)在步骤(b)之后，对半导体衬底进行热氧化，由此在第二区的半导体衬底表面上形成包括氧化硅的一个第二绝缘膜，以及(d)在除去第一区上的氧化防止膜之后，在第一区的第一绝缘膜上形成第一MISFET的一个栅电极并在第二区的第二绝缘膜上形成第二MISFET的一个栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
