[发明专利]多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法

摘要

本发明公开一种多晶硅薄膜的晶粒尺寸的控制及其检测方法。首先，提供一第一衬底，其上覆盖有一第一非晶硅层。接着，分别以不同能量密度的激光对第一非晶硅层实施退火处理，以形成多个第一多晶硅区。之后，藉由全光谱椭圆仪测量每一第一多晶硅区在一既定光子能量范围的光谱变化，并经由量化后得到一判断指标，以决定可形成最大多晶硅晶粒尺寸的激光能量密度。接着，提供一第二衬底，其上覆盖有一第二非晶硅层。最后，以上述激光能量密度对第二非晶硅层实施退火处理，以获得最大多晶硅晶粒尺寸，并再藉由椭圆仪检测其晶粒尺寸。

主权项

1.一种多晶硅薄膜的检测方法，包括下列步骤：提供一衬底，该衬底上覆盖有一非晶硅层；以具有一既定能量密度的一激光对该非晶硅层实施退火处理，以将该非晶硅层转变成一多晶硅层；以及藉由一光学仪器测量该多晶硅层在一既定光子能量范围的光谱变化，并经由量化而获得一判断指标，以藉由判断指标来监测该多晶硅层的晶粒尺寸。