[发明专利]用于制造GaN基底的装置及其制造方法有效
| 申请号： | 02151648.0 | 申请日： | 2002-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1444295A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 金镇教 | 申请（专利权）人： | LG电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 葛青,李晓舒 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于制造GaN基底的装置和方法：通过在腔室内使GaN层在衬底上生长，并在此后使GaN层与衬底在同一腔室中相分离，而防止了由于温度下降而使GaN基底产生微裂纹或发生弯曲。本发明包括：腔室，在该腔室中装载有衬底；用于对腔室进行加热的加热装置；Ga载器，安装在腔室内，用于接纳可产生Ga分子的材料；喷射管，用于向腔室中注入可产生氮气分子的气体，氮气分子产生气体与Ga分子产生材料发生化学反应，而在衬底上形成GaN层；以及透明的窗孔，设置在腔室的外周上，用于向衬底照射激光束。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 gan 基底 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造GaN基底的装置，包括：腔室，在该腔室中装载有衬底；加热装置，用于对腔室进行加热；Ga载器，安装在腔室内，用于接纳可产生Ga分子的材料；喷射管，用于向腔室中注入可产生氮气分子的气体，氮气分子产生气体与Ga分子产生材料发生化学反应，而在衬底上形成GaN层；以及透明的窗孔，设置在腔室的外周上，用于向衬底照射激光束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电子株式会社，未经LG电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02151648.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
