[发明专利]磁存储装置无效
| 申请号： | 02151651.0 | 申请日： | 2002-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1452174A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 天野実;岸達也;与田博明;斉藤好昭;高桥茂树;上田知正;西山胜哉;浅尾吉昭;岩田佳久 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C5/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储装置，其特征在于，具有存储单元阵列，该存储单元阵列具有：多个第一写入布线，与这些第一写入布线交错的多个第二写入布线，和在所述第一写入布线和所述第二写入布线的交错区域的每一个上设置的存储单元，所述存储单元在对应的所述第一写入布线和对应的所述第二写入布线被选择时，分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有根据在所述第一及第二写入布线中分别流动的电流产生的磁场来存储应写入信息的存储层，第一结构部件，设置成包围所述第一写入布线，在所述记录层的磁化容易轴方向上配置所述记录层和形成磁闭路的两端部，以及第二结构部件，设置成包围所述第二写入布线，在所述记录层的磁化困难轴方向上配置强化所述记录层磁化困难轴方向上的磁场的两端部；将所述第一结构部件的所述两端部的每一个配置为，比所述第二结构部件的所述两端部的每一个更接近所述记录层。
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