[发明专利]半导体接触电容热电池无效

专利信息
申请号: 02152397.5 申请日: 2002-12-05
公开(公告)号: CN1505176A 公开(公告)日: 2004-06-16
发明(设计)人: 石运达;张金锋;石钟艳 申请(专利权)人: 石运达
主分类号: H01L35/00 分类号: H01L35/00;H01L49/00;H02N11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 114225*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种由半导体电容器和二极管组成的静态电源装置。半导体电容器与二极管同性极板相连,两种多数载流子扩散的结果使半导体电容器充电,这就使二极管加上了反向偏置电压。加热半导体电容器,少数载流子增加。在二极管内电场作用下,两种载流子分别漂移,形成工作电压。只需不断地加热,热电池就能把热能转化为电能。它可以把太阳能、地热能、生产和生活中的热能转化为电能并进行循环利用,消除能源消费带来的污染,达到可持续发展的目的。
搜索关键词: 半导体 接触 电容 电池
【主权项】:
1、一种由两种载流子经过分离而成的静态电源装置,其特征为将半导体电容器P+型极板连接两个崩越二极管的P+极,半导体电容器N+型极板连接两个崩越二极管的N+极,电容器P+型极板的多数载流子空穴通过P+PN+ 崩越二极管向电容器N+型极板扩散,电容器N+型极板的多数载流子电子通过N+NP+崩越二极管向电容器P+型极板扩散,扩散的结果电容器的P+型极板带负电,N+型极板带正电,这就使与之同性相连的两个崩越二极管加上了反向电压,加热半导体电容器,多数载流子数目不变,少数载流子数目大增,半导体电容器P+型极板的少数载流子电子在二极管内电场的作用下向电容器N+型极板漂移,N+型极板的少数载流子空穴在另一个二极管内电场的作用下向电容器P+型极板漂移,载流子漂移的结果在电容器极板两面形成工作电压,使电子从电容器N+型极板经电阻流向电容器P+型极板,整个装置成为电源。
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