[发明专利]金属与半导体接触电容热电池无效
| 申请号： | 02152398.3 | 申请日： | 2002-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN1505175A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 石运达;张金锋;石钟艳 | 申请（专利权）人： | 石运达 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L49/00;H02N11/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 114225*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种由MOS电容器和肖特基势垒二极管组成的静态电源装置。MOS电容器与二极管同性极板相连，电子扩散的结果使MOS电容器充电，这就使二极管加上了反向偏置电压。加热MOS电容器电流向相反的方向流动，在MOS电容器极板形成工作电压。只要不断地加热，热电池就能把热能转化为电能。它可以把太阳能、地热能、生产和生活中的热能转化为电能并进行循环利用，消除能源的消费带来的污染，以此达到可持续发展目的。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 半导体 接触 电容 电池 | ||
【主权项】：
1、一种由一种载流子经过加热改变电流方向的静态电源装置，其特征为将MOS电容器M极板连接肖特基势垒二极管的金属端电极，MOS电容器半导体电极S连接肖特基势垒二极管的半导体电极，MOS电容器N型半导体极板S中的电子通过肖特基势垒二极管向金属极板扩散，扩散的结果是MOS电容器的金属极板带负电，半导体极板带正电，这就使与之同性相连的肖特基势垒二极管在反向偏压和加热的条件下，将改变电流方向，电子将从金属极板M流向半导体电极S，电子反向运动的结果，在MOS电容器极板两面形成工作电压，使电子从S极板经电阻流向M极板，整个装置成为电源。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于石运达，未经石运达许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02152398.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池组件和其生产方法
- 下一篇：半导体接触电容热电池
