[发明专利]平面浮动栅的制造方法及含有它的非挥发性存储器元件有效
| 申请号： | 02152649.4 | 申请日： | 2002-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN1505104A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明有关一种平面浮动栅的制造方法，主要包括将多晶硅层间氧化物沉积覆盖于晶片表面；打开浮动栅区域(浮动栅延伸部除外)以及部分蚀刻多晶硅层间氧化物；打开所有浮动栅区域(浮动栅上部延伸部除外)和所有主动区。由该制造方法所得的浮动栅近似“T”形，可得平坦且宽的浮动栅表面以及与控制栅间的耦合面积。本发明又有关一种以该制造方法制得的具有平面浮动栅的非挥发性存储器元件构造。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 浮动 制造 方法 含有 挥发性 存储器 元件 | ||
【主权项】：
1.一种平面浮动栅的制造方法，其特征在于，包括：将多晶硅层间氧化物沉积覆盖于晶片表面；打开浮动栅延伸部除外的浮动栅区域以及部分蚀刻多晶硅层间氧化物；打开浮动栅上部延伸部除外的所有浮动栅区域和所有主动区。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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