[发明专利]可免除尖端漏电及电子跳脱的金属氧化物半导体制法及装置

摘要

本发明是一种可免除尖端漏电及电子跳脱效应的金属氧化物半导体制法及其装置，实行此一方法步骤是利用微影、蚀刻等步骤在硅基底相对主动区外围以浅沟槽绝缘(STI)制法形成晶体管的绝缘层，再于该绝缘层中央的封闭空间形成晶体管的基极；因该绝缘层是以STI制法形成，且不先将该绝缘层移除，故可使基极获得自动对准的效果，而后再于该绝缘层上形成相对于基底发射极、集电极区的窗口，以进行发射极、集电极的离子布植，藉此，利用前述制程不蚀刻去除外围绝缘层，故不会于基极两侧形成凹槽，进而完全免除尖端漏电(corner conduction)及电子跳脱(Electron injection)等不良效应。

主权项

1.一种可免除尖端漏电及电子跳脱效应的金属氧化物半导体制法，其特征在于，包括：一形成沟槽的步骤，于该硅基底的相对于主动区域形成一氮化硅层，并以氮化硅层为光罩，蚀刻外围的硅氧化层及硅基底而形成沟槽；一形成浅沟槽绝缘绝缘层及形成基极的步骤，将该沟槽以绝缘层填满，再蚀刻去除该氮化硅层，于该已去除氮化硅的位置，以基极金属层填满；一形成该集电极、发射极的步骤，对基极金属层外围的硅氧化层蚀刻形成通达基底的通道，并以离子布植至基底形成集电极、发射极区域。