[发明专利]磁随机存取存储器及其读出电路、它的制造方法无效
申请号: | 02152687.7 | 申请日: | 2002-11-29 |
公开(公告)号: | CN1421866A | 公开(公告)日: | 2003-06-04 |
发明(设计)人: | 岩田佳久 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11C11/15 | 分类号: | G11C11/15;G11C7/00;H01L27/105 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及磁随机存取存储器及其读出电路和制造方法。在读出位线上,连接了多个块。一个块具有串联在读出位线和接地端子之间的多个MTJ元件。这些MTJ元件,例如,层叠在半导体衬底上。读出位线配置在层叠的多个MTJ元件上。在块内的多个MTJ元件的附近,配置了沿着X方向延伸的写入字线和沿着Y方向延伸的写入位线。 | ||
搜索关键词: | 随机存取存储器 及其 读出 电路 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁随机存取存储器,包含:彼此串联、并利用磁致电阻效应存储数据的多个存储单元;连接在所述多个存储单元的一端、并且在第一方向延伸的位线;以及连接在所述位线上的读出电路。
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