[发明专利]半导体记忆装置

摘要

单节点方式(开敞位线型)的动态型RAM中,以读出放大为中心左右配置了子阵。这个子阵拥有多数动态型储存元件。在位于读出放大列的左侧或右侧的子阵中,由同一行位线构成互补位线对。各个子阵中的各个位线之间的每一个间隔,配置着与这些位线平行且制成在同一配线层的屏蔽用的配线形式。这些配线形式设定了全电源电位等的固定电位。因此,有效地减少了相邻位线之间的生成干涉杂音。

主权项

1.一种半导体记忆装置，包括：复数条字线；沿与上述字线交差的方向延伸的复数条位线；配置在上述字线和位线的各个交差点上的，由一个MOS晶体管形成的传输门及包括单电容的动态型储存元件；上述各个动态型储存元件的传输门的一端被连接在上述位线上，另一端被连接在上述电容的储蓄节点上，而栅被连接在上述字线上；其中：在上述复数条位线和相邻位线之间，每个都是沿着上述相邻位线平行的方向延伸，且还配置着在上述相邻位线同一配线层上所制成的屏蔽用第一配线模式。