[发明专利]制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 02152723.7 | 申请日： | 2002-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1420536A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 朴商一;俞庚辰;崔圭焕 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在半导体层上形成一个第一光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把杂质离子掺入到半导体层中，形成源极区和漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖该半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在导电层上形成一个光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把p+型杂质离子掺入到半导体层中，从而形成源极区和漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
