[发明专利]双闸极介电层及其制造方法有效
| 申请号： | 02152774.1 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1505107A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 侯拓宏;王铭芳;陈启群;杨智伟;姚亮吉;陈世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/324;H01L21/316 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 楼仙英;陈红 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种双闸极介电层，其制造方法为，首先，提供一半导体基底，半导体基底具有一第一区块及一第二区块，在半导体基底上形成一第一高介电常数材料介电层并进行一回火步骤以在表面上形成一致密层；接着，在第一高介电常数材料层上形成一第二高介电常数材料层并使密层为蚀刻停止层，蚀刻形成于第一区块上方的第二高介电常数材料层至露出第一高介电常数材料层为止。 | ||
| 搜索关键词： | 双闸极介电层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双闸极介电层的制造方法，其特征在于，它包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一区块及一第二区块；在该半导体基底上形成一第一高介电常数材料介电层；对该第一高介电常数材料介电层的表面进行一回火步骤，以形成一致密层；在该第一高介电常数材料层上形成一第二高介电常数材料层；及以该致密层作为蚀刻停止层，蚀刻形成于该第一区块上方的该第二高介电常数材料层直至露出该第一高介电常数材料层为止。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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