[发明专利]透明导电膜、其形成方法与具有该透明导电膜的物品有效
申请号: | 02152989.2 | 申请日: | 2002-11-29 |
公开(公告)号: | CN1422979A | 公开(公告)日: | 2003-06-11 |
发明(设计)人: | 辻稔夫;伊藤博人;清村贵利 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡株式会社 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/30 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王健 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种安全性高、生产性好、具有良好的光学及电特性、在塑料薄膜基材上的良好的临界曲率半径的透明导电膜的形成方法,采用该方法形成的透明导电膜与具有该透明导电膜的物品。所述形成方法包括如下步骤将反应性气体导入放电空间,通过在大气压或大气压附近的压力下放电,激发反应性气体成为等离子体状态,将基材暴露于前述等离子体状态的反应性气体中,在前述基材上形成透明导电膜,其中,前述反应性气体含有还原性气体。 | ||
搜索关键词: | 透明 导电 形成 方法 具有 物品 | ||
【主权项】:
1.透明导电膜形成方法,包括下述步骤:将反应性气体导入放电空间,通过在大气压或大气压附近的压力下放电,激发反应性气体成为等离子体状态,将基材暴露于前述等离子体状态的反应性气体,在前述基材上形成透明导电膜,其中,前述反应性气体含有还原性气体。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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