[发明专利]避免漏极/源极延伸的超浅层接面发生漏电流的方法

摘要

一种避免一漏极/源极延伸的一超浅层接面发生漏电流的方法，先于一基底上形成一栅极，再于该基底中形成该漏极/源极延伸；接着形成一衬垫层以覆盖该基底，并在于该栅极两侧形成一L形侧壁子后，移除未被该L形侧壁子覆盖的该衬垫层；最后同时于该基底中形成一梯状漏极/源极延伸与一漏极/源极，再形成一金属硅化物层；本发明运用多次的离子布植制程，使MOS晶体管具有一阶梯状轮廓的梯状漏极/源极延伸，适度增加了金属硅化物层与源极/漏极的底部的距离，因此可避免金属硅化物层于漏极/源极延伸的该超浅层接面产生过大的漏电流的问题，并能防止该MOS晶体管发生贯通的现象，以在增加集成电路积集度的同时，达到确保产品效能的目的，进而提升产品竞争力。

主权项

1.一种于一基底上制作一MOS晶体管的方法，其特征是：该方法包含有下列步骤：于该基底上依序形成一栅极氧化层与一栅极；进行一第一离子布植制程，以于该基底中形成一第一掺杂区；于该基底上依序沉积一介电层与一牺牲层；于该栅极的两侧各形成一L形侧壁子；进行一第二离子布植制程，以同时于该基底中形成一呈一阶梯状轮廓的第二掺杂区；以及进行一自行对准金属硅化物制程，以于该栅极顶面以及该第二掺杂区正上方的该基底表面形成一金属硅化物层。