[发明专利]电子装置用衬底，电子装置用衬底的制造方法，及电子装置无效
| 申请号： | 02153623.6 | 申请日： | 2002-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN1421900A | 公开（公告）日： | 2003-06-04 |
| 发明（设计）人： | 樋口天光;岩下节也;宫泽弘 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L27/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于电子装置的衬底，该电子装置包括由立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向并利用外延生长形成包含具有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层衬底，本发明还提供一种具有用于该电子装置的衬底的电子装置。图1所示的电子装置用衬底(100)包括Si衬底(11)；在Si衬底(11)上利用外延生长形成包含具有NaCl结构的金属氧化物的缓冲层(12)；在缓冲层(12)上用立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向外延生长形成的含有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层(13)。优选的是，Si衬底(11)是不除去自然氧化膜(100)衬底或(110)衬底。并且，缓冲层(12)的平均厚度等于或小于10nm。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 装置 衬底 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电子装置用衬底，其特征在于，包括：Si衬底；在所述Si衬底上，利用外延生长，形成包含具有NaCl结构的金属氧化物的缓冲层；以及在所述缓冲层上，沿立方晶体(100)取向或伪立方晶体(100)取向，外延生长形成包含具有钙钛矿结构的金属氧化物的导电氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
